AI 内存 V-Die 方案亮相：侧立放置 DRAM 吞吐 540 tokens/s，较 HBM4 高 82.43%

科技媒体 Tom's Hardware 昨日（7 月 10 日）发布博文，报道称在 6 月召开的 IEEE / JSAP 超大规模集成电路技术研讨会上，针对 AI 加速器的内存散热与带宽瓶颈，研究团队提出 V-Die 与 MOSAIC 两种 HBM 集成方案。