瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域

AI 导读

该系列为 100V 增强型 GaN 分立功率晶体管，包含 RTP100E005G1FL 等多款型号。相比同类 GaN 器件硬开关 FOM 最高降低 35%，软开关 FOM 最高降低 63%，开关损耗大幅降低 40% 至 70%，且封装与硅器件兼容，便于现有设计快速迁移。#

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