Opus 5.5 智能体发现两种室温磁性半导体候选材料

Opus 5.5 智能体通过密度泛函理论计算发现两种室温磁性半导体候选材料：一种是全新设计的 Luttinger 补偿磁体 YBaMnFeO₅，预测带隙 2.35 eV，空穴自旋窗口 1.0 eV、电子自旋窗口 1.4 eV；另一种是 1999 年就已合成的已知材料，计算预测其具备目标磁性。室温热扰动仅约 26 meV，远小于自旋窗口，有望用于下一代自旋电子存储。